晶體二極管（Crystal diode）是固態(tài)電子器件中的半導體兩端器件。這些器件主要的特征是具有非線性的電流 - 電壓特性。

隨著半導體材料和工藝技術的發(fā)展，利用不同的半導體材料、摻雜分布、幾何結構，研制出結構種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極管。制造材料有鍺、硅及化合物半導體。

晶體二極管可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換等。另外，晶體二極管在電路中的應用也是必不可少的，無論是做整流電路還是鉗位作用還是其他的一些作用，都會用到它。

晶體二極管可分為發(fā)光二極管（LED），整流二極管，穩(wěn)壓二極管，開關二極管等等，每種二極管還擁有其各自的作用及用途。

晶體二極管工作特性

二極管最主要的特性是單向導電性，其伏安特性曲線。

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⒈正向特性。當加在二極管兩端的正向電壓（P 為正、N 為負）很小時（鍺管小于 0.1 伏，硅管小于 0.5 伏），管子不導通，處于“截止”狀態(tài)，當正向電壓超過一定數(shù)值后，管子才導通，電壓再稍微增大，電流急劇暗加（見曲線 I 段）。不同材料的二極管，起始電壓不同，硅管為 0.5-0.7 伏左右，鍺管為 0.1-0.3 左右。

⒉反向特性。二極管兩端加上反向電壓時，反向電流很小，當反向電壓逐漸增加時，反向電流基本保持不變，這時的電流稱為反向飽和電流（見曲線Ⅱ段）。不同材料的二極管，反向電流大小不同，硅管約為 1 微安到幾十微安，鍺管則可高達數(shù)百微安，另外，反向電流受溫度變化的影響很大，鍺管的穩(wěn)定性比硅管差。

⒊擊穿特性。當反向電壓增加到某一數(shù)值時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿。這時的反向電壓稱為反向擊穿電壓，不同結構、工藝和材料制成的管子，其反向擊穿電壓值差異很大，可由 1 伏到幾百伏，甚至高達數(shù)千伏。

⒋頻率特性。由于結電容的存在，當頻率高到某一程度時，容抗小到使 PN 結短路。導致二極管失去單向導電性，不能工作，PN 結面積越大，結電容也越大，越不能在高頻情況下工作